kl800.com省心范文网

二氧化硅


绝缘材料

2009 ,42 ( 6)



俊等 : 二氧化硅 / 聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究

1

二氧化硅 / 聚酰亚胺纳米复合薄膜 的制备与性能研究
刘 俊 , 何明鹏 , 陈 昊 , 李 娟 , 范 勇
( 哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院 , 哈尔滨 150040)

摘要 : 采用溶胶 - 凝胶法 , 以苯基三乙氧基硅烷 ( P T ES) 为前驱体制备了氧化硅溶胶 , 并以均苯四甲酸二酐 ( PMDA ) 和 4 , 4’- 二氨基二苯醚 ( ODA ) 为原料 , 用原位生成法制备了一系列不同掺杂量 ( 质量分数) 的 P I/ SiO 2 复合薄膜 。分别采用热失重分析仪 ( T GA ) 、 扫描电镜 ( SEM ) 、 耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜 的热性能 、 电性能进行了测试 。结果表明 , 掺杂量为 15 %时纳米氧化硅粒子在 P I 基体中分散均匀 , 掺杂量为 10 % , 热分解温度达到最大值 , 并且在工频 50 Hz , 场强为 60 MV / m 的室温条件下 , 掺杂量为 15 %时复合膜 的耐电晕时间最长为 55. 73 h ,电气强度为 327 MV / m 高于纯膜 。 关键词 : 聚酰亚胺 ; 纳米氧化硅 ; 热性能 ; 电性能 中图分类号 : TM215. 3 ; TM206 文献标志码 :A 文章编号 :1009 - 9239 ( 2009) 06 - 0001 - 04

The Pre parat ion an d Perf ormance Test in g of Nano - or gan ic - sil ica / PI Com posite Fil m
L IU J un , H E Mi ng - p e ng , CH EN Hao , L I J ua n , FAN Yon g ( S chool of M ateri als S cience an d En g i neeri n g , Harbi n U ni versi t y of S cience an d Tech nology , Harbi n 150040 , Chi na)

Abstract : A silica s ol was p r ep a r e d usi ng p he n yl t ri e t hoxysila ne ( P T ES ) as t he p r ec urs or by s ol- gel
f e r e nt dop i n g ( mas s p e r ce nt ) na no- or g a nic-silica / PI com p osi t e f il ms w e r e obt ai ne d via i n si t u p ol y2 me rizat i on . The t he r mal p r op e r t i es of t he comp osi t e f il ms w e r e t es t e d t h r ough T GA . p osi t e f il ms ’ s urf ace was obs e r ve d b y s ca n ni n g el ect r on mic r os cop y ( S EM ) . Als o , t he com p osi t e s t r e n g t h me as uri n g s ys t e m . f il ms ’ el ect rical p r op e r t i es w e r e t es t e d b y cor ona dis c ha r g e me as uri n g e q ui p me nt a nd br e a kdow n nousl y dis p e rs e d i n t he p ol yi mi de mat ri x . p r ove d b y a de q uat e a ddi t i on of SiO 2. I t r e ac hes a ma xi m um w he n dop e d wi t h 10 % of SiO 2. Whe n t he dop i n g a mount of SiO 2 r e ac hes 15w t % , t he cor ona- r esis t a nt a gi n g lif e is 55. 73 h unde r 50 Hz of p ow e r f r e q ue nc y a nd 60 MV / m of el ect rical f i el d s t r e n g t h at r oom t e mp e r at ur e . I t ’ s l on g e r t ha n w hic h is hi g he r t ha n t hat of p ur e f il ms , t oo . t hat of p ur e f il ms . At t he s a me t i me , t he br e a kdow n s t r e n gt h of t he comp osi t e f il ms is 327 MV / m , me t hod . Bas e d on 4 , 4’ - ox y dia nili ne ( ODA ) a nd p y r omelli t ic dia nh y dri de ( PMDA ) , a s e q ue nce of dif 2

Ke y words : p ol yi mi de ; na no- or g a nic-silica ; t he r mal p r op e r t y ; el ect rical p r op e r t y

前 言 通过控制无机物的结构 , 使无机相与有机相间 形成一定的化学结构或物理相互作用 , 将无机物以 某种尺度均匀分散于聚合物基体 , 得到具有优异性
1
收稿日期 : 2009 - 06 - 15 攻关项目 ( GC04A216)

基金项目 : 国家自然科学基金资助项目 ( 50373008) , 黑龙江省科技 作者简介 : 刘俊 ( 1984 - ) ,女 ,黑龙江人 ,硕士生 ,研究方向为高电压 与绝缘技术 , ( 电子信箱) jun198482 @yahoo . co m . cn ; 范勇 (1953 - ) , 男 ,哈尔滨人 ,博士 ,教授 ,研究方向为新型绝缘材料的研制 。

? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.

The S EM mic r o g r a p hs i ndicat e t hat t he SiO 2 p a r t icl es a r e homo g e2

The t he r mal s t a bili t y of t he p ur e PI f il m ca n be i m2

能的新型复合材料 , 这是材料领域的研究热点之 一 。无机粒子具有一系列优异性能 ,如力学性能 、 热 稳定性及特殊的电磁性能等 。聚合物本身也具有弹 性、 耐热性 、 介电性能和力学性能 。有机 / 无机纳米 复合将使两者的优异性能集于一体 ,相互补充 [1 ]。 P I 薄膜具有优异的介电特性 , 用无机纳米氧化 物掺杂 P I 能进一步改善其热学及电学性能 , 尤其 是耐电晕性 。 采用溶胶 - 凝胶法制得氧化硅溶胶 [2 ] , 再将其均匀分散于 P I 基体中 , 以改善薄膜的耐电 晕性 。

http://www.cnki.net

The com2

2 2 实 验 2. 1 原料



俊等 : 二氧化硅 / 聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究

绝缘材料

2009 ,42 ( 6)

表1

SiO 2 不同掺杂量 PI 薄膜的热分解温度

均苯四甲酸二酐 ( PMDA ) , 工业纯 , 上海化学 试剂公司 , 使用前研细烘干 ; 4 , 4’ - 二胺基二苯醚 ( ODA ) , 工业纯 , 上海化学试剂公司 , 使用前研细烘 干 ; N , N’ - 二甲基乙酰胺 ( DMAc ) , 工业纯 , 上海 试剂三厂 ; 苯基三乙氧基硅烷 ( P T ES) , 化学纯 , 上 海硅山高分子材料有限公司 。 2. 2 纳米有机硅溶胶杂化 PI 薄膜的制备 将 P T ES 和一定量的水加入到装有 DMAc 的 三口瓶中加热搅拌 ,温度控制在 80~ 90 ℃ 稳定 3 h , 再升温到 110~ 115 ℃ 稳定 40 min , 然后降温到 70 ℃ 以下减压蒸馏得到一定浓度的氧化硅溶胶 。 称取一定质量的 ODA 于 0. 25 L 的三口瓶中 , 加入 DMAc , 摇晃至 ODA 完全溶解后加入一定量 的氧化硅溶胶 ,装上搅拌器搅拌均匀 。 0~ 5 ℃ 在 的 冰水浴中分批次的加入 PMDA , 溶液由无色变成浅 黄色 , 粘度逐渐增加 。当 PMDA 达到与 ODA 等当 量时 , 随着分子量的增大 , 体系的粘度急剧增大 , 出 现明显的高聚物所具有的特性“爬杆现象” 即得到 , 高粘度的聚酰胺酸 / 氧化硅溶胶溶液 。 抽滤除泡 ,用 自制自动铺膜机在洁净的玻璃板上铺成一定厚度 的薄膜 , 置于烘箱中逐步升温进行热亚胺化 , 冷却 后将薄膜揭下 , 即获得 SiO 2/ P I 薄膜 。本实验制备 了一系列氧化硅掺杂量分别为 0 % ,5 % ,10 % , 15 % 和 20 % ( 质量分数) 的 SiO 2/ P I 薄膜 。 2. 3 结构与性能测试 热失重 ( T G) 分析 , 采用 Py ris 6 T GA 型热重 分析仪 ; 扫描电镜 ( SEM ) 分析 , 采用 F E I Sirio n 200 型场发射扫描电镜 ; 耐电晕时间 , 采用自制测试 装置按照 I EC343 方法测试 ; 击穿场强 , 采用南京长 盛仪器有限公司的 CS2674C 型耐压测试仪 。
3 结果与讨论 3. 1 TG 分析

响 : 其一 , 在一定掺杂量范围内 , 随着氧化硅含量的 增加 , 氧化硅自身或氧化硅与 P I 间形成相互贯穿 的网络结构 ,这种结构有利于热量的传导和散失 ,能 提高复合膜的热分解温度 ; 其二 , 对于 P I 分子来 说 ,由于高分子链间的相互作用和缠结 ,一般只能形 成一定程度的有序度 , 但氧化硅的加入对这种有序 度产生一定的破坏作用 , 导致复合薄膜的耐热性下 降 。在掺杂量低于 10 %时 , P I 的有序度遭到一定的 破坏 , 氧化硅的网络结构逐步形成 , 在掺杂量大于 10 %时 P I 的有序度严重被破坏 , 而氧化硅的网络 结构已完全形成 。 在掺杂量为 10 %时热分解温度出 现最大值正是这两者共同作用的结果 。掺杂量为 15 %时热分解温度有所下降 , 这是由于 P I 的有序 度被较大幅度破坏 , 同时氧化硅已形成较完整的网 络结构 。 3. 2 SEM 分析 通过扫描电子显微镜可以观察到薄膜表面的形 貌。 对不同掺杂量的薄膜进行了扫描 ,图 1 是氧化硅 掺杂量为 15 %的复合薄膜表面 SEM 图 。

采用热重分析仪对薄膜的耐热性进行测试 , 测 试条件为 : 氮气保护 , 升温速率为 20 ℃ min 。采用 / 外延起始温度即曲线下降段切线与基线延长线的 交点作为材料的热分解温度 , 分别对失重 5 %和 10 %时所对应的温度进行了分析 , 讨论了无机物含 量对薄膜耐热性的影响 ,结果见表 1 。 由表 1 可以看出 , 当氧化硅质量分数为 10 % 时 , 复合薄膜的热分解温度最高 。热分解温度由无 机物和有机物共同作用决定 , 硅具有比 P I 优异的 导热性 , 理论上一定量的硅可以提高 P I 的耐热 性 。但是它的加入对 P I 产生了两个相互矛盾的影

图 1 掺杂量为 15 %SiO 2/ PI 薄膜的表面 SEM

图 1 中可以观察到纳米氧化硅粒子 ( 白色亮点) 在薄膜表面均匀分散 , 它可能以氢键或分子间作用 力与 P I 基体紧密结合 , 与 P I 相容性很好 , 没有出 现纳米粒子的团聚现象 [3 ]。氧化硅粒子的尺寸均小 于 100 nm , 表明通过溶胶 - 凝胶法制备的氧化硅粒 子在纳米尺度内 。由于扫描电镜的电子探针只能探 测到薄膜表面以下 5~ 10nm , 所以通过此图观察不

? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.

http://www.cnki.net

绝缘材料

2009 ,42 ( 6)



俊等 : 二氧化硅 / 聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究

3

到薄膜内部更深层次的结构 , 但是由表面形貌可以 推测在薄膜内部均匀分散的氧化硅粒子可能形成 了连续的空间网络结构 。 3. 3 耐电晕分析 在工频 50 Hz 、 场强为 60 MV / m 、 室温条件下 对薄膜的耐电晕时间进行测试 ,由于空气的击穿场强 为 2. 7 M V / m ,在该电压下足可以使空气电离击穿而 在薄膜表面产生电晕 [4 ]。实验结果见表 2 和图 2 。
表2
SiO 2 不同掺杂量 PI 薄膜的耐电晕时间

图 2 耐电晕时间随氧化硅含量的变化

由表 2 和图 2 可看出 , 无机相的引入大幅度提 高了薄膜的耐电晕时间 , 这充分说明无机相对薄膜 的电老化性能有很大的作用 。 无机纳米氧化硅的本 征电导相对较大 , 因此其电导率比 P I 高 , 由于载流 子的平均自由程长 , 即电场对运动中的载流子的平 均加速时间长 , 致使载流子的平均末速度大 , 导致 这些高速迁移的载流子在有机 / 无机相界面产生严 重的电腐蚀老化 , 使得材料的平均耐电晕时间缩 短。 因此要想提高耐电晕寿命必须减小无机纳米氧 化硅中的载流子迁移速度 。 即在无机纳米氧化硅中 引入纳米尺度有序分布的化学结构载流子陷阱 , 以 改变载流子在薄膜中的迁移状态 , 改善薄膜的耐电 晕性 。在薄膜表面施加一定的强电场时 , 薄膜表面 的空气首先被电离击穿产生大量的正负离子 , 这些 离子在电场作用下被加速 , 就会轰击腐蚀薄膜表 面 , 进入薄膜内部的正负离子和电子发生碰撞和交 换 , 在电场持续作用下 , 时间越长薄膜内部载流子 就累积越多 。当载流子增加到一定数量时 , 薄膜内

部就形成导电通道而发生老化击穿 。这是在未掺杂 无机物的情况下薄膜的击穿原理 , 当掺杂一定量的 无机物后情况发生改变 。无机物在薄膜中均匀分散 形成大量的陷阱 ( 缺陷) 结构 , 这些陷阱结构可以捕 获载流子 ,适当地减缓载流子的迁移速率 ,减少与其 它载流子的碰撞几率 , 防止产生更多的带电电荷 。 另外陷阱捕获载流子所形成的空间反电场可以在一 定程度上削弱施加在薄膜表面的电场 。在氧化硅掺 杂量为 15 %时薄膜内部形成了均匀的氧化硅网络 结构 ,当载流子在薄膜中迁移时 ,虽然这种网络结构 对于载流子的迁移速度有很大的限制作用 , 但是载 流子的迁移率有所提高 ,因而一方面电荷不易累积 , 不易形成局域电场畸变 , 另一方面还有利于材料整 体导热系数的提高 。对于材料来说 , 减小内部电荷 累积的数量 , 防止热量的积聚这两点可以很大程度 上提高材料的耐电晕性 , 而掺杂量 15 %的氧化硅薄 膜就比较明显达到了这样的效果 。 氧化硅掺杂量小于 15 %时 , 耐电晕时间一直在 增加 , 表明随着无机相的增加陷阱及网络结构逐步 形成 。但是随着无机相掺杂量的进一步增加 , 纳米氧 化硅因其强大的表面能而发生团聚 , 团聚的结果是在 薄膜中造成结构缺陷 ,导致材料耐电晕寿命缩短 。 3. 4 电气强度分析 绝缘材料的击穿就是当施加到材料上的电场强 度增加到某个临界值时 ,电介质的电导剧增 ,电介质 由绝缘状态变为导电状态的过程 [5 - 6 ] 。采用耐压测 试仪分别测试不同掺杂量的复合薄膜的电气强度 , 其实验结果见表 3 。
表3
SiO 2 不同掺杂量 PI 薄膜的电气强度

从理论上讲 , 介质击穿分为电击穿和热击穿两 类 , 电击穿被认为是介质在强电场作用下产生的本 征物理过程 , 而热击穿则是由介质几何形状与散热 条件等非本征因素决定的 [7 ]。在电压逐步增加的过 程中 ,材料内部缺陷位置首先开始发生局部放电 ,在 掺杂量较少如 5 %和 10 %时 , 纳米氧化硅在薄膜中 就是弱点缺陷结构 , 局部放电由于无机相的引入而 增强 , 所以电气强度较纯膜下降 。在掺杂量为 15 % 时电气强度高于纯膜 , 这是由于纳米氧化硅形成了 ( 下转第 8 页)

? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.

http://www.cnki.net

8
2

韩宇伦等 : BA PP - 2 TF 型聚酰亚胺薄膜的制备与性能研究
2008 ,197 ( 2 - 3) :426 - 433. [ 6]

绝缘材料

2009 ,42 ( 6)

mJ / m ,说明其具有较好疏水性 。 ( 3) T GA 测试表明 BA P P - 2 T F 型聚酰亚胺薄

Smit h D W , J r Babb D A . Perfluo rocyclo butane Aro matic Polyet hers. Synt hesis and Characterizatio n of New Silo x ane - Co ntaining Fluo ropolymers[J ] . Macro molecules ,1996 , 29 ( 3) :852 - 860.

膜的初始分解温度在 490 ℃ 以上 , 而且在 950 ℃ 时 残余率都大于 50 % ,说明其耐热性较好 。 ( 4) 各聚酰亚胺薄膜的紫外截止波长为 320~ 370 nm ,且在 480 nm 时透过率超过 80 % ,表明薄膜 在较宽的光谱范围内具有良好的光学透明性 。 ( 5 ) BA P P - 2 T F 系列薄膜的拉伸强度 90. 51 ~ 121. 50 M Pa , 延伸率为 7. 71 %~ 11. 97 % , 说明 具有优良的力学性能 。 参考文献 :
[ 1] [ 2] [ 3] [ 4]

[ 7] [ 8] [ 9] [ 10 ] [ 11 ] [ 12 ] [ 13 ] [ 14 ] [ 15 ]

沈亚 ,胡和丰 ,吕珏 ,等 . 以 BA PP 为原料的热塑性 P I 薄膜的 合成及性能 [J ] . 中国胶粘剂 ,2006 ,15 ( 10) :28 - 31. 孔翠丽 ,张清华 ,陈大俊 . BA P P 型聚酰亚胺的合成及表征 [J ] . 高分子材料科学与工程 ,2006 ,22 ( 5) :105 - 108. 戴俊燕 ,刘德山 . 含氟聚酰亚胺的研究进展 [J ] . 功能高分子 学报 ,1999 ,12 ( 3) :337 - 343.
Chin Ping Yang , Ruei Shin Chen , Kuei Hung Chen . Organo soluble and Light - colo red Fluo rinated Polyimides Based o n 2 ,2 - Bis[ 4 - ( 4 - amino - 2 - t rifluo ro met hylp h eno xy) p henyl ]p ropane and Aro matic Dianhydrides[J ] . Jo ur nal of Applied Polymer Science ,2005 ,95 ( 4) :922 - 935.

刘金刚 ,尚玉明 ,范琳 ,等 . 高耐热 、 低介电常数含氟聚酰亚胺 材料的合成与性能研究 [J ] . 高分子学报 ,2003 ( 4) :565 - 570. 杨志兰 ,李桢林 ,何武强 ,等 . 含氟和氧膦共缩聚型聚酰亚胺的 合成与表征 [J ] . 精细化工 ,2005 ,22 ( 4) :265 - 268. 陈建升 ,李仲晓 ,陶志强 ,等 . 含氟苯乙炔苯胺封端聚酰亚胺的 合成与性能研究 [J ] . 高分子学报 ,2007 ( 3) :235 - 239. 虞鑫海 . 含氟聚酰亚胺特种单体的合成及表征 [J ] . 化工新 型材料 ,2003 ,31 ( 10) :24 - 27. 姜峰 , 林润雄 . 可溶性含氟聚酰亚胺三元共聚物的合成 [J ] . 合成化学 ,2007 ,15 ( 2) :150 - 153. 虞鑫海 . 新型聚酰亚胺特种单体的合成及其表征 [J ] . 绝缘 材料通讯 ,1999 ( 5) :1 - 4. 邱凤仙 ,周珏明 ,刘举正 ,等 . 含氟聚酰亚胺的热光性能 [J ] . 中国激光 ,2006 ,33 ( 2) :233 - 237. 梁东波 ,陈抱雪 ,袁一方 ,等 . 含氟聚酰亚胺高分子光波导工 艺研究 [J ] . 上海理工大学学报 ,2003 ,25 ( 3) :230 - 233.
Shinji Ando , To hru Mat suura ,Shigekuni Sasaki . Perfluo rinated Polyimide Synt hesis[J ] . Macro molecules ,1992 ,25 ( 21) :5858 - 5860.

[ 16 ]

J ae - Woo k Kang ,J ae - Pil Kim ,Wo n - yo ung Lee ,et al . Low - lo ssfluo rinated Poly (ar ylene et her sulfide) Waveg uides wit h Hight Her mal Stabilit y[J ] . Light wave Tech nol ,2001 ,19 ( 6) :872 - 875.

[ 5]

Wei J iang , Do ng Wang ,Shaowei Guan ,et al . Sulco ntaining Fluo rinated Polyimides fo r Optical Waveguide Device [J ] . Jo ur nal of Photochemist ry and Photo biology A :Chemist ry ,

( 上接第 3 页)

均匀的网络结构 , 一方面电子运输容易很多 , 另一 方面均匀的连续网络结构对于局部放电过程中产 生的热量也有很好的传导作用 , 这也证实了纳米氧 化硅的引入改善了 P I 薄膜的导热性 。当掺杂量为 20 %时电气强度急剧下降 , 此时纳米粒子的团聚所 带来的负面作用已超过其正面作用 。 结 论 采用溶胶 - 凝胶法 , 以苯基三乙氧基硅烷为单 体制得了纳米氧化硅溶胶 , 利用原位生成法合成了 一系列不同掺杂量的纳米氧化硅杂化 P I 薄膜 。结 果表明无机纳米粒子的加入对复合薄膜的热性能 及电性能均有影响 。 ( 1) 当掺杂量为 10 %时复合薄膜的热分解温度 最高为 586. 88 ℃, 更高掺杂量时无机物对于耐热性 的提高已达到饱和 。 ( 2) 由 SEM 图可以看出掺杂量为 15 %时纳米 氧化硅粒子在薄膜中分散均匀 , 推测可能形成连续 的网络结构 , 表明所制备的纳米氧化硅粒子与 P I 相 容性很好 。 ( 3) 在工频 50 Hz 、 场强为 60 MV / m 、 室温条件
4

下 , 氧化硅掺杂量为 15 %时复合薄膜的耐电晕时间 明显提高 ,达到 55. 73 h 。 无机粒子所形成的陷阱及 网络结构改变了薄膜内部载流子的运输和传导 。 ( 4) 随着纳米氧化硅掺杂量的增加 ,复合薄膜电 气强度开始出现下降趋势 , 但掺杂量为 15 %时电气 强度达到 327 MV / m 高于纯膜 。 参考文献 :
[ 1] [ 2] [ 3] [ 4] [ 5]

秦家强 . 聚酰亚胺/ 二氧化硅杂化材料微相结构的形成 、 演化 与性能关系的研究 [ D ] . 四川 : 四川大学 ( 工学博士) ,2006. 闫继娜 ,余桂郁 ,杨南如 ,等 . 载体对无机膜完整性影响的研 究 [J ] . 硅酸盐通报 ,1999 ( 1) :62 - 66. 李钟华 ,张秀媚 ,杨亭阁 . 纳米技术和纳米材料 [J ] . 化工进展 ,
1992 ( 2) :20222.

徐传骧 ,刘辅宜 . 工程电介质物理基础与进展 [ M ] . 西安交通大 学出版社 ,1995.
Ma D ,Siegel R , Ho ng J . Influence of Nanoparticle Surfaces o n t he Elect rical Breakdown St rengt h of Nano - particle filled Low - densit y Polyet hylene [J ] . J . Mater . Res ,2004 ,19 : 857 - 863.

[ 6] [ 7]

刘学忠 ,徐传骧 . PWM 变频调速电动机端子上过电压的抑制
[J ] . 中国电机工程学报 ,2001 ( 8) :84 - 88. Lewis T J . Nano meyric Dielect rics[J ] . I EEE Transactio n o n D EI ,1994 ( 1) :812 - 825.

? 1994-2010 China Academic Journal Electronic Publishing House. All rights reserved.

http://www.cnki.net


赞助商链接

炉水二氧化硅超标原因分析

炉水二氧化硅超标原因分析 - 龙源期刊网 http://www.qikan.com.cn 炉水二氧化硅超标原因分析 作者:马晓南 来源:《中国科技纵横》2014 年第 17 期 【摘要】 ...

二氧化硅知识点分类_图文

二氧化硅知识点分类 - 二氧化硅知识点分类 生活中的物质引入二氧化硅 纯净的二氧化硅晶体无色透明,称为水晶。具有彩色环带状或层状的石英晶体,称为玛瑙。 沙子中也...

二氧化硅处理方法的研究

二氧化硅处理方法的研究 - 二氧化硅处理方法的研究 08 级化学工程与工艺黄星桥 摘要: 随着人们环保意识的不断增长, 绿色消费已是当今世界上流社会的时尚。 化工...

二氧化硅质量标准

二氧化硅质量标准 - 文件标题 文件编码 二氧化硅质量标准 QS 页码 第 1 页共 5 页 审核批准: 批准人: 审核人: 审核人: 制订人: 文件管理: 颁发部门: 颁发...

硅石的分类及用途

再生资源网 http://www.bianbao.net/ 二、硅石的性质 物理性质 二氧化硅又称硅石(石英砂),化学式 SiO2。自然界中存在有结晶二氧化硅和 无定形二氧化硅两种。结晶...

2016年二氧化硅现状研究及发展趋势

2016年二氧化硅现状研究及发展趋势_公共/行政管理_经管营销_专业资料。2016-2022 年中国二氧化硅行业发展研究分 析与发展趋势预测报告 报告编号:1869126 中国产业调研网...

二氧化硅怎么检验

二氧化硅怎么检验 - 二氧化硅怎么检验 优质解答 二氧化硅的测定方法有多种,下面逐一将不同方法作简单介绍. 1 挥散法 若某个试样中二氧化硅的含量在 98%以上,应用...

纳米二氧化硅制备

纳米二氧化硅制备_能源/化工_工程科技_专业资料。1.纳米二氧化硅的制备方法 到目前为止,纳米二氧化硅的生产方法主要可以分为干法和湿法两种。干法包括气 相法和电弧法...

二氧化硅纳米颗粒的制备

二氧化硅纳米颗粒制备表征及其应用的研究周韬 摘要:本实验采用沉淀法和溶胶凝胶法制备了二氧化硅纳米晶体,并对得到的产 物进行了红外光谱和粒径分析。 关键词:溶胶...

如何防止二氧化硅结垢析出

如何防止二氧化硅结垢析出 - 如何防止二氧化硅结垢析出 浓水不允许析出二氧化硅,当二氧化硅过饱和则可能聚合而形成不溶解的胶体硅或者硅胶而引起结垢。 纯水 25℃时,无...