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模拟电路(童诗白第四版)习题解答


模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组 编 XX 主编 自测题与习题解答 山东大学物理与微电子学院 目录 第 1 章 常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3 第 2 章 基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第 3 章 多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第 4 章 集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第 5 章 放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第 6 章 放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第 7 章 信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第 8 章 波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第 9 章 功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第 10 章 直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126 2 第 1 章 常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。( × ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证 其 RGS 大的特点。( √ ) (6)若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。( × ) (4) UGS=0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。 A.结型管 B.增强型 MOS 管 C.耗尽型 MOS 管 四、已知稳压管的稳压值 UZ=6V,稳定电流的最小值 IZmin=5mA。求图 Tl.4 所示电 路中 UO1 和 UO2 各为多少伏。 (a) 图 T1.4 (b) 解:左图中稳压管工作在击穿状态,故 UO1=6V。 右图中稳压管没有击穿,故 UO2=5V。 五、电路如图 T1.5 所示,VCC=15V,?=100,UBE=0.7V。 试问: (1)Rb=50k?时,Uo=? (2)若 T 临界饱和,则 Rb=? 解:(1) I B ? VBB ? U BE ? 26? A , Rb IC ? ? I B ? 2.6mA , UO ? VCC ? IC Rc ? 2V 。 图 T1.5 3 (2)∵ I CS ? VCC ? U BE ? 2.86mA , I BS ? ICS / ? ? 28.6? A Rc ∴ Rb ? VBB ? U BE ? 45.5k ? I BS 六、测得某放大电路中三个 MOS 管的三个电极的电位如表 Tl.6 所示,它们的开启 电压也在表中。试分析各管的工作状态(截止区、恒流区、可变电阻区) ,并填入表 内。 表 T1.6 管号 T1 T2 T3 UGS(th)/V 4 -4 -4 US/V -5 3 6 UG/V 1 3 0 UD/V 3 10 5 工作状态 恒流区 截止区 可变电阻区 解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型 MOS 管。根据表中所示 各极电位可判断出它们各自的工作状态,如表 Tl.6 最后一栏所示。 习题 1.1 选择合适答案填入空内。 (4)当场效应管的漏极直流电流 ID 从 2mA 变为 4mA 时,它的低频跨导 gm 将( A ) 。 A.增大; B.不变; C.减小 1.3 电路如图 P1.3 所示,已知 ui ? 5 sin ?t (V),二极管导通电压 UD=0.7V。试画 出 u i 与 uo 的波形图,并标出幅值。 图 P1.3 解:波形如解图 Pl.3 所示。 解图 P1.3 4 1.4 电路如图 P1.4

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